ਪੌਲੀਮਰ ਮਾਈਕਰੋ- ਅਤੇ ਨੈਨੋਬਜ਼ ਨੂੰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਐਡਿਟਿਵ ਟੈਕਨਾਲੋਜੀਆਂ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਵਿਚ ਦੋ-ਐਲਜੀਓਨਰ ਲੇਥੋਗ੍ਰਾਫ (ਡੀਐਲ) ਮੁੱਖ ਨਿਰਦੇਸ਼ਾਂ ਵਿਚੋਂ ਇਕ ਹੈ. ਇਸ ਦੀ ਬੇ ਸ਼ਰਤ ਪਲੱਸ ਲਗਭਗ ਕਿਸੇ ਵੀ ਤਿੰਨ-ਅਯਾਮੀ ਕੌਨਫਿਗਰੇਸ਼ਨ ਦੇ structures ਾਂਚਿਆਂ ਨੂੰ ਬਣਾਉਣ ਦੀ ਯੋਗਤਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਫੋਟੋਨ ਕ੍ਰਿਸਟਲਸ, ਵੇਵੌਇਡਜ਼, ਕਈ ਮਕੈਨੀਕਲ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਨਾਲ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਅਤੇ ਸਟੋਰੇਜ਼ ਜੰਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਜਾ ਸਕਦੇ ਹਨ.
ਹਾਲਾਂਕਿ, ਇਸ ਟੈਕਨੋਲੋਜੀ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕੀਤੇ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਮੌਕਿਆਂ ਦੇ ਬਾਵਜੂਦ, ਇਸ ਵਿੱਚ ਕਾਫ਼ੀ ਸੀਮਾਵਾਂ ਹਨ. ਜਦੋਂ ਡੀਐਲਐਲ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਸਮੇਂ ਤਾਂ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਕੰਮ ਕਰਨ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨਾ ਸੀਮਤ ਹੁੰਦਾ ਹੈ - ਪੌਲੀਮੇਰਿਕ ਫੋਟੋਸੈਟਿਵ ਸਮੱਗਰੀ. ਦਿਸਦੀ ਸੀਮਾ ਵਿੱਚ ਪੌਲੀਕਰਾਂ ਦੀ ਪਾਰਦਰਸ਼ਤਾ, ਬਿਜਲੀ ਦੇ ਚਾਲ ਚਲਣ, ਦਰਮਿਆਨੀ ਮਕੈਨੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਨਾਲ ਘੱਟ ਗਰਮੀ ਅਤੇ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਸਥਿਰਤਾ, ਡੀਐਲਐਲ ਨਾਲ ਬਣੀਆਂ structures ਾਂਚਿਆਂ ਦੀ ਵਿਹਾਰਕ ਵਰਤੋਂ ਸੀਮਿਤ ਹਨ. ਡੀਐਫ-structures ਾਂਚਿਆਂ ਦੀ ਪੋਸਟ-ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦਿਆਂ ਮੌਜੂਦਾ ਪਾਬੰਦੀਆਂ ਨੂੰ ਦੂਰ ਕਰਨਾ ਸੰਭਵ ਹੈ.
ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਦੇ ਬਾਅਦ ਦੇ methods ੰਗਾਂ ਵਿਚੋਂ ਇਕ ਨੂੰ ਪਾਈਰੂਲੀਸਿਸ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਇਕੋ ਸਮੇਂ ਰੈਜ਼ੋਲੇਸ਼ਨ ਵਿਚ ਵਾਧਾ ਅਤੇ ਨਵੀਂ ਕਾਰਜਕੁਸ਼ਲਤਾ ਦੀ ਸ਼ੁਰੂਆਤ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ. ਖਾਸ ਕਰਕੇ, ਪਾਇਰਲਾਈਡਜ਼ਡ ਪਦਾਰਥਾਂ ਨੇ ਵੱਧਿਆ ਮਕੈਨੀਕਲ ਤਾਕਤ ਦੇ ਨਾਲ-ਨਾਲ ਵੱਧ ਥਰਮਲ ਅਤੇ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਸਥਿਰਤਾ ਨੂੰ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਿਤ ਕੀਤਾ. ਪ੍ਰਵਾਸੀ ਸੀਮਾ ਅਤੇ ਸੁਪਰਪ੍ਰੋਫ ਮਕੈਨੀਕਲ ਮੈਟਾਮੈਟਿਜ ਅਤੇ ਸੁਪਰਪ੍ਰੋਫ ਮਕੈਨੀਕਲ ਮੈਟਾਮੈਟਿਅਨਜ਼ ਲਈ ਕਾਰਬਨ ਨੈਨੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪੀ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਪਹਿਲਾਂ ਹੀ ਕ੍ਰੋਮੋਲਸ ਮਾਈਕਰੋਸਕੋਪੀ, ਫੋਟੋਨ ਕ੍ਰਿਸਟਲਾਸਕੋਪੀਸ ਲਈ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਸੁਝਾਅ.
ਪਿਰੋਲੋਲਿਸਸ ਡੀਐਲਐਲ ਵਿਧੀ ਦੇ ਮਤੇ ਨੂੰ ਵੀ ਸੁਧਾਰਦਾ ਹੈ, ਕਿਉਂਕਿ ਪਾਇਰੂਲੀਸਿਸ ਦਾ ਸਾਹਮਣਾ ਕਰਨਾ structure ਾਂਚਾ ਅਸਲ ਅਕਾਰ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਸੁੰਗੜਨ ਦਿਖਾਈ ਦਿੰਦਾ ਹੈ. ਪਰ ਪਾਇਰੋਲੋਜੀਜ਼ਡ structures ਾਂਚੇ ਦਾ ਸੁੰਗੜਦਾ ਹੈ structure ਾਂਚੇ ਨੂੰ ਡੀਐਲਐਲ ਪੜਾਅ ਵਿੱਚ ਪਹਿਲਾਂ ਤੋਂ ਹੀ ਘਟਾਓਣਾ structure ਾਂਚੇ ਦੀ ਸਮੱਸਿਆ ਨੂੰ ਵਧਾਉਂਦਾ ਹੈ. ਇਹ ਸਮੱਸਿਆਵਾਂ ਮਹੱਤਵਪੂਰਣ ਵਿਹਾਰਕ ਮਹੱਤਵ ਹਨ, ਪਰ ਹੁਣ ਤੱਕ ਇਨ੍ਹਾਂ ਮੁੱਦਿਆਂ 'ਤੇ ਕੋਈ ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ ਖੋਜ ਨਹੀਂ ਸੀ. ਇਸ ਦੌਰਾਨ, ਐਲੀਮੈਂਟਸ ਦੇ ਆਕਾਰ ਵਿਚ ਕਮੀ ਦਾ ਸਹੀ ਮੁਲਾਂਕਣ ਅਤੇ ਡੀ.ਐੱਫ. Structure ਾਂਚੇ 'ਤੇ ਪਾਈਲੇਲੀਸਿਸ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੇ ਵਿਆਪਕ ਮੁਲਾਂਕਣ ਬਿਲਕੁਲ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੈ ਜੇ ਇੱਥੇ ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਨਾਲ ਮਾਈਕ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਦਾ ਕੰਮ ਹੈ.
ਚੋਟੀ ਦੀ ਕਤਾਰ: ਆਈਪੀ-ਡਿੱਪ (ਏ) ਲੈਂਸ (ਏ) ਤੋਂ ਪਾਇਓਲਿਸਿਸ ਤੋਂ 150 ਡਿਗਰੀ ਸੀ. ਮਾਈਲਰੋਲਿਸ (ਐੱਚ) ਲੈਨਜ਼ 150 ਡਿਗਰੀ ਸੈਲਸੀਅਸ ਅਤੇ (ਈ) ਵਿਚ ਪਾਈਰੋਲੀਸਿਸ ਤੋਂ ਬਾਅਦ 690 ਡਿਗਰੀ ਸੀ. ਘੱਟ ਰੇਂਜ: ਲੈਨਜ਼ ਐਸ ਕੇ2080 (ਐਫ) ਤੋਂ 190 ਡਿਗਰੀ ਸੈਲਸੀਅਸ ਬਾਅਦ ਪਾਈਰੋਲੀਸਿਸ ਸੀ / © www.osapubllins.org ਤੇ ਪਾਇਰੋਲੀਸਿਸ ਅਤੇ (ਐਫ)
ਕੁਆਂਟਮ ਟੈਕਨੋਲੋਜੀਜ਼ ਦੇ ਕੇਂਦਰ ਦੇ ਨੈਨੋਫੋਟੋਨਿਕ ਖੇਤਰਾਂ ਦੇ ਵਿਗਿਆਨੀ ਆਪਣੇ ਆਪ ਨੂੰ ਵਪਾਰਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਉਪਲੱਬਧ ਪ੍ਰੌਇਰੇਮਸਿਸਟਾਂ ਤੋਂ ਜਾਂ ਪੂਰੀ ਜੈਵਿਕ ਆਈਪੀ ਦੇ ਸਿਧਾਂਤ ਨੂੰ ਤਿਆਰ ਕਰਦੇ ਹਨ: ਪੂਰੀ ਜੈਵਿਕ ਆਈਪੀ -ਡਿੱਪ ਅਤੇ ਆਰਜੀ-ਇਨਸਰਗੈਂਗਿਕ ਓਰੋਮੋਕੌਮ ਅਤੇ ਐਸ ਕੇ 2080. ਆਰਗਨ ਮਾਹੌਲ ਵਿਚ 450 ਅਤੇ 690 ਡਿਗਰੀ ਸੈਲਸੀਅਸਣ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ ਲਈ 450 ਅਤੇ 690 ਡਿਗਰੀ ਸੈਲਸੀਅਸ, ਸਿਲੀਕਾਨ ਪਲੇਟ ਦੇ ਘਟਾਓਣਾ ਨੂੰ ਨਫ਼ਰਤ ਦਾ ਅਨੁਮਾਨ ਲਗਾਇਆ ਗਿਆ.
ਆਪਟੀਕਲ ਸਮੱਗਰੀ ਐਕਸਪ੍ਰੈਸ ਜਰਨਲ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ਤ ਕੰਮ ਵਿੱਚ ਸੀ ਸੀ ਸੀ ਦੇ ਵਿਗਿਆਨੀਆਂ ਨੇ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕੀਤੀ ਕਿ structure ਾਂਚੇ ਦੀ ਸੁੰਗੜਨ, ਅਤੇ ਨਾਲ ਹੀ ਪਾਇਰੋਲੀਸਿਸ ਤਾਪਮਾਨ, ਵਾਤਾਵਰਣ ਅਤੇ ਜਿਓਮੈਟਰੀ ਬਣਤਰ ਦੁਆਰਾ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ. ਪਾਈਰੋਲਿਸਿਸਿਸ ਨਾਲ ਪੋਸਟ-ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਕਿਸੇ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਫੋਟੋਸ਼ੋਰਸ ਦੇ ਵਿਵਹਾਰ ਨੂੰ ਧਿਆਨ ਵਿੱਚ ਰੱਖਦਿਆਂ, ਅਨੁਕੂਲ ਨਤੀਜੇ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨਾ ਸੰਭਵ ਹੈ, ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਖਾਸ ਕੰਮਾਂ ਅਤੇ ਭਰੋਸੇਮੰਦ ਮਾਈਕਰੋ- ਅਤੇ ਮਨਮਾਨੀ ਸ਼ਕਲ ਅਤੇ ਲਗਭਗ ਕਿਸੇ ਵੀ ਮੰਜ਼ਿਲ ਬਣਾਓ.
ਤੁਲਨਾ ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਕਿ ਇੱਕ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਇੱਕ ਮਜ਼ਬੂਤ ਸੁੰਗੜਨ ਦੀ ਅਗਵਾਈ ਕਰਦਾ ਹੈ. ਐਂਲਿੰਗ ਕਰਨ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਆਈਪੀ-ਡਿਪ ਤੋਂ ਬਣਤਰਾਂ ਨੂੰ ਗਲਾਸ ਕਾਰਬਨ ਵਿੱਚ ਬਦਲਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਓਰਮੋਕੌਮਪ ਅਤੇ ਐਸ ਕੇ 308080 ਦੇ ਫੋਟੋਪੋਰਿਸਟਾਂ ਦੇ ਅਜੀਵ ਪਦਾਰਥਾਂ ਨੂੰ ਗਲਾਸ ਵਿੱਚ ਸੋਧਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ. ਆਈਪੀ-ਡੁਬਕਣ ਨਾਲ structures ਾਂਚੇ ਵੀ ਚੁਣੇ ਗਏ ਫੋਟੋਪੋਰਿਸਟਾਂ ਤੋਂ ਸਭ ਤੋਂ ਵੱਡੇ ਸੁੰਨ ਕਰ ਦਿੰਦੇ ਹਨ. ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ, ਆਈ ਪੀ ਡੀ ਡੀਆਈਪੀ ਪਾਈਲੇਲੀਸਿਸ ਦੇ ਅਗਲੇ ਪਾਇਰੋਲਿਸਿਸ ਨਾਲ ਡੀਐਲਐਲ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੰਡੈਕਟਿਵ ਸ਼ੀਜ਼ ਕਾਰਬਨ structures ਾਂਚਿਆਂ ਨੂੰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ.
Ormocomp ਆਪਟੀਕਲ ਤੱਤਾਂ ਦੀਆਂ ਇੰਦਰਾਜ਼ਾਂ ਦੀ ਸਿਰਜਣਾ ਲਈ ਲਾਭਦਾਇਕ ਹੈ ਜੋ ਐਕਸ-ਰੇ ਸਰੋਤਾਂ ਦੀ ਮੰਗ ਵਿੱਚ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ. ਬਦਲੇ ਵਿਚ, ਪਾਇਰਾਲੀਸਿਸ ਦੇ ਦੌਰਾਨ ਫੋਟੋਸ਼ੋਰਿਸਟ ਐਸ.ਸੀ.ਸੀ.-Commout ਾਂਚਾਗਤ ਅਕਸਰ ਮਕੋਰੇਟ ਤੋਂ ਅਸਮਰਥਿਤ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਜੋ ਇਕੱਲੇ structures ਾਂਚਿਆਂ ਦੇ ਨਿਰਮਾਣ ਲਈ ਸੁਵਿਧਾਜਨਕ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਜਿਸ ਨੂੰ ਫਿਰ ਬੁੱਧਵਾਰ ਨੂੰ ਜਾਣ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ. ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੇ ਡੇਟਾ ਨੂੰ ਡੀਐਲਐਲ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੁਆਰਾ ਬਣਾਏ ਜਾਣ ਵਾਲੇ ਪੋਸਟ-ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ structures ਾਂਚਿਆਂ ਦੇ ਸਟੈਂਡਰਡ ਵਿਧੀ ਵਜੋਂ ਅੱਗੇ ਵਰਤੇ ਜਾ ਸਕਦੇ ਹਨ, ਅਤੇ ਇਸ ਕਿਸਮ ਦੇ ਪੋਸਟ-ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ, ਵਿਗਿਆਨੀ ਨੋਟ ਦੇ ਸਰਗਰਮ ਵਿਕਾਸ ਵਜੋਂ ਕੰਮ ਕਰਨਗੇ.
ਸਰੋਤ: ਨੰਗੇ ਵਿਗਿਆਨ