Ике фотосурәт лазер литографы (DL) - полимер микро һәм нанобектлар булдыру өчен кулланылган өстәмә технологияләрне үстерүнең төп юнәлешләренең берсе. Аның шартсыз плюс - өч үлчәмле конфигурацияләү, фотон кристалллары, дулкынлану, дулкынландырганда, шулай ук саклау һәм саклау җайланмалары барлыкка килгәндә кулланылырга мөмкин.
Ләкин, бу технология белән бирелгән искиткеч мөмкинлекләргә карамастан, анда бик күп чикләүләр бар. DLL кулланганда материалларны сайлау - Фоторесистлар - полимер рәсемнәр полимерлары. Күренгән полимерларның ачыклыгы аркасында, электр үткәргечнең булмавы, электрик механик үзенчәлекләр, шулай ук түбән эсселек һәм нурланыш тотрыклылыгы чикләнгән, длл белән ясалган корылмаларның практикасы чикләнгән. DF-структуралардан соң эшкәртү ярдәмендә кайбер булган чикләүләрне җиңәргә мөмкин.
Эштән соңгы өметле ысулларның берсе Пиролиз дип атала, ул бер үк вакытта резолюциянең артуын һәм яңа функцияләр кертүне дә тәэмин итә. Аерым алганда, Пироляция материаллары механик көч белән бергә югары җылылык һәм нурланыш тотрыклылыгын күрсәттеләр. DLL аннан соң пиролиз яңгырау углеротиаторы тавышлары, атом-көч микроскопиясе өчен махсус киңәшләр алу өчен уңышлы кулланыла, махсус механик метасматерлыкларда фотон кристалллар.
Пиролиз шулай ук DLL ысулын чишүне яхшырта, чөнки пироляциягә дучар булган структура оригиналь зурлык белән чагыштырганда мөһим кысылды. Ләкин пиролизлы структураларның кысылуы ябыштыру структурасын DLL этапта барлыкка килгән субъект проблемасын көчәйтергә. Бу проблемалар мөһим практик әһәмияткә ия, ләкин бу сорауларда комплекслы тикшеренүләр юк иде. Шул ук вакытта элементлар зурлыгының кимүе һәм гомумән алганда, фроляизмның DF-структурага йогынтысы йогынтысы югары төгәллек белән алу бурычы булса, бөтенләй кирәк.
Topгары рәт: IP-DIP (A) пиролиз (а) пиролиз (б) пиролиздан соң пиролиздан соң һәм пиролизизмнан соң, пиролямнан соң (D) 450 градус с һәм (E) 690 градус С.
Квант технологияләре үзәгендәге Нанофотоник тармакларның галимнәре МСУның дүрт коммерцияле фоторесистларның дистәләгәндә, длл технологияләре белән чагыштырма өйрәнү үткәрү бурычы куйды: тулы органик IP -Дип һәм орган-инорганик ormoomp һәм SZ2080. Аргон атросферасында 450 һәм 690 градус селкенү өчен, кремний тәлинкәсенең субсидиясенә үзгәрүе, химик составында, химик состав һәм смета булган үзгәрешләр бәяләнде.
Оптик материал экспресс журналында журналда "CCC галимнәре структураның кысылуының фоторесист төре, шулай ук пиролиз температурасы, атмосфера һәм геометрия структурасы белән билгеләнүләрен расладылар. Пиролиз белән эшкәртүдән соң билгеле бер фоторесаторның тәртибен исәпкә алып, оптималь нәтиҗәләргә ирешергә, үзенчәлекле әйберләр һәм ышанычлы микро, туфраклы микро, туфраклы микро- һәм нанструктура булдырырга мөмкин.
Чагыштыру күрсәтте, югары температура көчлерәк кысыла. IP-DIP структуралары пыяла углеродка әверелә, ә ormoomomp һәм SZ2080 фотосенистларының анналы белән аннал белән үзгәртелгән. IP-DIP структуралары шулай ук сайланган фоторесистлардан иң зур кыскартуны күрсәтәләр. Шулай итеп, IP-DIP Pyrolysise пыяла батырлары углерод корбасы булдыру өчен кулланылырга мөмкин.
Ormomoomp - X-ray чыганакларына ихтыяҗ булган оптик элементларның заказларын булдыру өчен файдалы. Proproysist sz2080 структурасы, фроляз вакытында структуралар еш кына субстраттан еш өзелә, бу бер структуралар җитештерү өчен уңайлы, ул вакытта башка чәршәмбегә күчерелергә тиеш. Алынган мәгълүматлар, DLL технологиясе тарафыннан ясалган стандартлар ярдәмендә өстәмә ысул буларак кулланылырга мөмкин, һәм галимнәрнең бу төр эшкәртүнең актив үсеше булып хезмәт итәчәк.
Чыганак: Ялангач фән